半導體器件內(nèi)部易燃性試驗 試驗背景
半導體器件內(nèi)部易燃性試驗的目的是確定器件是否由于過負荷引起內(nèi)部發(fā)熱而燃燒。
中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設(shè)備,具備內(nèi)部易燃性試驗能力,為半導體器件、設(shè)備提供專業(yè)的內(nèi)部易燃性試驗服務。
中科檢測環(huán)境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設(shè)備,具備內(nèi)部易燃性試驗能力,為半導體器件、設(shè)備提供專業(yè)的內(nèi)部易燃性試驗服務。
半導體器件內(nèi)部易燃性試驗 試驗方式
器件應不帶散熱片在大氣中工作,并使其內(nèi)部電功率耗散從最大額定值緩慢增加,直至出現(xiàn)下列任一狀態(tài):
a)內(nèi) 部功率達到25°C時的最大額定功耗的5倍,在這種情況下,該功率應至少保持1 min;
b)器件開路、短路或者器件的阻值上升以致不能再進--步增加功耗的程度;
c)器件燃燒。
只有器件冒煙或燃燒時,才看作器件失效。
a)內(nèi) 部功率達到25°C時的最大額定功耗的5倍,在這種情況下,該功率應至少保持1 min;
b)器件開路、短路或者器件的阻值上升以致不能再進--步增加功耗的程度;
c)器件燃燒。
只有器件冒煙或燃燒時,才看作器件失效。
半導體器件內(nèi)部易燃性試驗 試驗標準
GB/T 4937.31 半導體器件機械和氣候試驗方法 第31部分:塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的)
IEC 60749- 31: 2003半導體器件機械和氣候試驗方法 第31部分:塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的)
GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分:總則
IEC 60749- 31: 2003半導體器件機械和氣候試驗方法 第31部分:塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的)
GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分:總則

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