SiC器件檢測

SiC器件檢測

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。中科檢測能提供專業的SiC器件檢測服務，出具的SiC器件檢測報告。
我們的服務 電子電氣 SiC器件檢測

SiC器件 檢測背景

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。
SiC器件主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。
中科檢測能提供專業的SiC器件檢測服務，出具的SiC器件檢測報告。

SiC器件 檢測范圍

（1）碳化硅肖特基二極管
（2）碳化硅功率晶體管

SiC器件 檢測項目

可靠性試驗：
低溫試驗、高溫試驗、濕熱試驗、快速溫變試驗、振動（正弦）試驗、三綜合（振動+溫濕度環境）試驗、隨機振動試驗、低頻振動試驗、高頻振動試驗、沖擊試驗試驗、防塵防水試驗、氣體腐蝕試驗（二氧化硫、硫化氫、二氧化氮、氯氣）
電性能測試：
接觸電阻測試、絕緣電阻測試、泄漏電流測試、電阻率/導電率測試、導體電阻測試

SiC器件 檢測標準

GB/T 5095.2.1997 電子設備用機電元件基本試驗規程及測量方法 第2部分：一般檢查、電連續性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應力試驗
IEC 60068-2-42:2003 環境試驗 第2-42部分:試驗 試驗Kc：觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.19-2013 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kc：接觸點和連接件的二氧化硫試驗
GB/T 2423.22-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗N：溫度變化
GB/T 2423.27-2020 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗方法和導則：溫度/低氣壓或溫度/濕度/低氣壓綜合試驗
GB/T 2423.33-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Kca：高濃度二氧化硫試驗
GB/T 2423.34-2012 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Z/AD：溫度/濕度組合循環試驗
GB/T 2423.61-2018 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗和導則：大型試件砂塵試驗
GB/T 2423.63-2019 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗：溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(混合模式)綜合
GB/T 2423.38-2021 環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗R：水試驗方法和導則

SiC器件檢測 服務流程

1、事先與中科檢測實驗室溝通

2、填寫申請表

3、將樣品快遞或直接送至我司實驗室

4、產品檢測，實驗室安排測試

5、審核報告，發正式報告


SiC器件檢測 服務優勢

1.擁有眾多先進儀器設備并通過CMA/CNAS資質認可，測試數據準確可靠，檢測報告具有國際公信力。


2.科學的實驗室信息管理系統，保障每個服務環節的高效運轉。


3.技術專家團隊實踐經驗豐富，可提供專業、迅速、全面的一站式服務。


4.服務網絡遍布全球，眾多一線品牌指定合作實驗室。


SiC器件檢測 報告用途

產品質控：國內外市場銷售，資質認證等等；

電商品控：產品進入超市或賣場，網站商城等；

貿易活動：政府部門、事業單位招投標、申請補助等；

工廠評估：工商抽檢或市場監督等；