半導體器件快速溫度變化試驗

半導體器件快速溫度變化試驗

中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備快速溫度變化試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的快速溫度變化試驗服務。
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半導體器件快速溫度變化試驗 試驗背景

半導體器件快速溫度變化試驗目的是測試產品反復承受溫度極值的耐受力。溫度劇烈變化可能會導致半導體器件：裝配點或焊接點松動或脫落、使材料本身開裂、電子元器件性能發生變化、密封件失效造成泄漏。
中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備快速溫度變化試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的快速溫度變化試驗服務。

半導體器件快速溫度變化試驗 試驗方式

樣品應放于液槽中的合適位置，使液體在樣品中間及周圍的流動不受到阻礙。然后根據規定，使負載按規定的試驗條件進行15次循環（對于模擬清洗應進行10次循環）。
為了進行器件批的加載或去載，或由于電源或設備故障，允許中斷試驗。然而，對任何給定的試驗，若中斷次數超過規定循環總次數的10% ，試驗應重新開始。

半導體器件快速溫度變化試驗 試驗標準

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.11-2018 半導體器件機械和氣候試驗方法 第11部分：快速溫度變化 雙液槽法
IEC 60749-11 ：2002 半導體器件機械和氣候試驗方法 第11 部分：快速溫度變化 雙液槽法